產(chǎn)品簡介

HY-SMU 3000 源測量單元直流電源是一款高電壓、高功率、低電流源測量單元(SMU)儀器，它具備的強大功率、高精度、高速度、靈活性以及易用性,能夠提升研發(fā)、生產(chǎn)測試和可靠性環(huán)境中的工作效率。

HY-SMU 3000 源測量單元直流電源具有高功率和超低電流性能。是專門針對高壓電子和功率半導體器件的特征分析與測試而設(shè)計的，例如二極管、FET和IGBT,以及其它一些需要高電壓、快速響應(yīng)和精確測量電壓和電流的元件和材料。

產(chǎn)品功能：

■ 具有高度靈活的四象限電壓和電流源/負載，并配備了高精度的電壓和電流測量儀表

■ 提供或吸收高達180W的直流或脈沖電源（±3000V/20mA，±1500V/120mA）

■ 1fA低電流分辨率

■ 雙22-bit 精度ADC和每點雙18-bit 1μs數(shù)字轉(zhuǎn)換器，用于高精度和高速瞬態(tài)捕獲

■ 易于與其它數(shù)字源表進行系統(tǒng)集成的兼容能力

■ 單臺儀器內(nèi)集成了精密電源、電流源、DMM、任意波形發(fā)生器、電壓或電流脈沖發(fā)生器、18-bit電子負載和觸發(fā)控制器

產(chǎn)品用途：

■半導體特征分析儀

■電壓或電流波形發(fā)生器

■電壓或電流脈沖發(fā)生器

■支持電壓和電流回讀的精密電源

■ 真電流源

■數(shù)字萬用表（DCV、DCI、電阻、功率和6?分辨率電源）

■精密電子負載

應(yīng)用領(lǐng)域：

■ 功率半導體器件特征分析與測試

■ GaN、SiC和其它一些復合材料與器件的特征分析

■ 高達3kV的擊穿與漏電流測試

■ 亞毫秒瞬態(tài)特征分析

技術(shù)指標參數(shù)：