產品詳情

型      號：KC-3105

功能簡介

現代寬禁帶功率器件 (SiC, GaN) 上的開關晶體管速度越來越快，使得測量和表征成為相當大的挑戰。與 HTRB高溫偏置試驗一 一對應，AQG324 該規定了動態偏置試驗，即動態高溫反偏（DHRB，Dynamic high-temperature reverse bias）

設備簡介

KC-3105第三代功率半導體器件動態可靠性測試系統中可同時完成HTRB和DHTRB測試，整體架構模塊化，通訊協議、通訊接口等采用統一標準，便于后期擴展和維護。該系統集成度高、應用覆蓋面廣，系統采用軟、硬件一體化設計且功能豐富，在保證系統穩定運行的同時，可以快速滿足功率半導體可靠性測試需求。

第三代功率半導體器件動態可靠性測試系統優勢

高溫高壓高精度：dv/dt>50v/ns、頻率50KHz；

高精度測試：電流分辨率10pA，電壓分辨率100nV；

多參數測量：Vsd電壓、Vgsth電壓、Rds電阻、Igss漏電流、Idss漏電流、溫度；

多通道測試：高效率80通道測試，每個通道獨立控制，故障斷開及時，互不影響；

軟件功能

功能完備并有可擴展性,基于Windows平臺開發,配備工控機系統；

數據管理功能完整,具有操作界面與上位機,可實現數據自動保存與生成測試報告具有漏源極漏電流、溫度等檢測功能；

可對每一個測試器件獨立控制,包含開始、暫停、繼續、終止操作功能；

保存與記錄試驗數據,過沖電壓、開關頻率、漏電流、溫度、故障信號、工作時長、漏源電壓變化率等。

參數測試

1、Vgsth測試條件： G，D和S之間加管子規定電流，測試G和S之間的電壓值；電壓值就是閥值電壓。

2、VSD測試條件： G和S之間加反向電壓,D和S之間加反向管子規定電流，測試D和S之間的電壓值；電壓值就是反向二極管導通電壓。

3、RDS測試條件： G和S之間加正向電壓,D和S之間加正向管子規定電流，測試D和S之前的電壓值；內阻 Rds(mΩ)=Vds / Ids (DS之間電壓/DS流過的電流)。

4、Igss測試條件： G和S之間加管子規定電壓，D和S接0V，測試出流過G極的電流就是Igss漏電流；

5、Idss測試條件： D和S之間加管子規定電壓，G和S接0V，測試出流過D極的電流就是Idss漏電流；

老化測試

一、DRB  動態反偏

1.試驗時長time: ≥1000h

2.試驗溫度temp: 25℃

3.漏源電壓VDS: ≥0.8Vdsmax

dVDS/dt 取 50V/ns，f≥25kHz; 

4.柵源電壓VGS：0V or VGSmin

二、DGB  動態柵極反偏

1.試驗時長time：為10^11次循環

2.試驗溫度temp：25℃

3.漏源電壓VDS：0V

4.柵極電壓VGS：VGS=VGSmax至VGS min，dVGS/dt 取 1V/ns，f≥50kHz

三、HTRB  高溫反偏

1.試驗時長time：≥1000h

2.試驗溫度temp：最高結溫

3.漏源電壓VDS：≥0.8Vdsmax

4.柵源電壓VGS：0V or VGSmin

四、HTGB  高溫柵極反偏

1.試驗時長：≥1000h

2.試驗溫度：最高結溫

3.VDS漏源電壓：0V

4.柵極電壓：VGS=VGSmax(正柵極電壓測量50%DUT)   VGS=VGSmin(負柵極電壓測量50%DUT)

保護功能

上電自測:可實現器件防呆,電路狀態；

保護功能:對于帶電、高溫開箱、過溫、測試電參數異常、驅動電路故障等可實現保護功能；

故障隔離:可實現組間的獨立性控制,出現故障斷開及時,不影響其他器件工作。

系統構成圖

參考標準

AQG 324 機動車輛電力電子轉換器單元用功率模塊的驗證

AEC Q101車用分立半導體元器件的基于失效機理的應力測試驗證

軟件界面

技術參數