產(chǎn)品詳情

型      號：KC3120

功能簡介：KC3120功率半導體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)可針對各類型 GaN、Si基及SiC基二極管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各項動態(tài)參數(shù)測試，如開通時間、關斷時間、上升時間、下降時間、導通延遲時間、關斷延遲時間、開通損耗、...

設備簡介

KC3120功率半導體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)可針對各類型 GaN、Si基及SiC基二極管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各項動態(tài)參數(shù)測試，如開通時間、關斷時間、上升時間、下降時間、導通延遲時間、關斷延遲時間、開通損耗、關斷損耗、柵極總電荷、柵源充電電量、平臺電壓、反向恢復時間、反向恢復充電電量、反向恢復電流、反向恢復損耗、反向恢復電流變化率、反向恢復電壓變化率、輸入電容、輸出電容、反向轉(zhuǎn)移電容、短路。

通過更換不同的測試單元以達到對應測試內(nèi)容，通過軟件切換可以選擇測試單元、測試項目及配置測試參數(shù)、 讀取保存測試結(jié)果。

參考標準

IEC 60747-8/9 半導體分立器件第8/9部分/JEDEC標準

設備特點

KC-3120系 統(tǒng) 包 含 ： 硬 件 平 臺 + 實 時 軟 件 ， 其 中 硬 件 平 臺 包含 ： 信號源（模塊）、FTP低壓電源、FTP高壓電源、示波器、測量采集控制模塊、測試夾具（可加熱）等，主要特點如下:

高靈活度：多種驅(qū)動板配置，覆蓋高壓／中壓／低壓器件測試和雪崩測試（可選）；

高精度測試：高共模仰制比的高壓差分光隔離探頭（可選）滿足SiC/GaN半導體器件更高母線電壓和更快開關時間的測量挑戰(zhàn)要求；低回路電感設計（＜5OnH寄生電感）；

高效率：可進行開關參數(shù)／動態(tài)柵極電荷／動態(tài)導通電阻／短路／雪崩測試，單次測試即可完成開關特性和反向恢復特性測試；

具備數(shù)據(jù)管理功能，上位機可實現(xiàn)數(shù)據(jù)曲線、報告及自動保存；

保護功能：具備器件防呆，對于帶電、高溫開箱、測試參數(shù)異常、驅(qū)動電路異常可實現(xiàn)保護功能，

內(nèi)部模塊化設計，支持支持擴展外接標準儀表，客制化；

軟件系統(tǒng)

技術參數(shù)