普賽斯S200數(shù)字源表特點(diǎn)：

同時(shí)精確提供和測(cè)量電壓和/或電流；

同步測(cè)量，減少測(cè)試時(shí)間

提供和測(cè)量非常廣的電流和電壓；

電壓可達(dá)300mV-300V,電流達(dá)100nA-1A

支持運(yùn)行用戶(hù)腳本程序，無(wú)需電腦控制，提高生產(chǎn)測(cè)試速度；

序列測(cè)試，簡(jiǎn)化操作，降低成本

采用用戶(hù)熟悉的圖形界面，不管用戶(hù)經(jīng)驗(yàn)是否豐富，使用起來(lái)都非常簡(jiǎn)便；

觸屏操作

與傳統(tǒng)電源比：

電源過(guò)零需要改變線連接方式；

增加需反復(fù)開(kāi)關(guān)機(jī)械開(kāi)關(guān)，降低了設(shè)備可靠性

電壓電流限制精度有限；

電壓1%，電流10mA

與電源結(jié)合萬(wàn)用表組合比：

萬(wàn)用表電源組合需要編程實(shí)現(xiàn)設(shè)備控制及同步；

復(fù)雜連線、編程開(kāi)發(fā)

電源限壓限流性能差

限壓限流精度低，瞬態(tài)特性也無(wú)法保證

普賽斯S200數(shù)字源表應(yīng)用：

數(shù)字源表應(yīng)用之光伏組件PID測(cè)試

PID形成原因

外部原因

PID的真正原因到目前為止沒(méi)有明確的定論，但最容易在潮濕的環(huán)境下發(fā)生，并且活躍程度與潮濕程度相關(guān)；同時(shí)組件表面被導(dǎo)電性、酸性、堿性以及帶有離子的物體的污染程度，也與PID現(xiàn)象的發(fā)生有關(guān)。據(jù)推測(cè)，來(lái)自于鈉鈣玻璃的金屬離子是形成上述具有PID效應(yīng)的漏電流的主要載流介質(zhì)。

內(nèi)部原因

系統(tǒng)方面

逆變器接地方式和組件在陣列中的位置，決定了電池片和組件受到正偏壓或者負(fù)偏壓。電站實(shí)際運(yùn)行情況和研究結(jié)果表明：如果整列中間一塊組件和逆變器負(fù)極輸出端之間的所有組件處于負(fù)偏壓下，則越靠近輸出端組件的PID現(xiàn)象越明顯。而在中間一塊組件和逆變器正極輸出端中間的所有組件處于正偏壓下，PID現(xiàn)象不明顯。

組件方面

環(huán)境條件，如濕度等的影響導(dǎo)致了漏電流的產(chǎn)生。

電池方面

電池片由于參雜不均勻?qū)е路綁K電阻不均勻；優(yōu)化電池效率而采用的增加方塊電阻會(huì)使電池片更容易衰減，導(dǎo)致容易發(fā)生PID效應(yīng)。

PID測(cè)試儀器組成

測(cè)試所需主要儀器為：

步入式環(huán)境測(cè)試箱；

絕緣耐壓測(cè)試儀；

接地連續(xù)性測(cè)試儀；

PID測(cè)試直流電壓源（數(shù)字源表）；

HALM太陽(yáng)模擬器（AAA+級(jí)）；

EL測(cè)試儀等。

PID測(cè)試的標(biāo)準(zhǔn)

PID 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)引自 IEC 62804 （Draft）

根據(jù)IEC61730-2 MST  01進(jìn)行外觀檢測(cè)；

根據(jù)IEC61215第二版進(jìn)行最大功率測(cè)試

根據(jù)IEC61215第二版條目10.15進(jìn)行濕漏電流測(cè)試；

如果組件有裸露的導(dǎo)電部位，則要根據(jù)IEC61730-2 MST13進(jìn)行接地連續(xù)性測(cè)試。

PID測(cè)試連線圖以及測(cè)試電源要求

PID測(cè)試連線圖

測(cè)試所需電源需求

電源電壓：-1500V～0V/ 0～+1500V

電源時(shí)漂：≤0.3%/h

電源溫漂：≤0.5‰/℃

電源紋波：≤0.5%

電流范圍：1～1000 uA /-1000 uA～-1

試驗(yàn)時(shí)間：0～168h